2026-07-01
Im Juli 2026 erreichte Hongmei Electronics die Massenproduktion vonSiliziumnitrid-Keramik-Substrate mit einer Dicke von nur 70 Mikrometern (0,07 mm), der einen neuen nationalen Rekord für ultradünne Siliziumnitrid-Substrate setzt.
Die Industriestandarddicke für Siliziumnitrid-Keramiksubstrate betrug lange Zeit 0,254 mm, die allgemein als praktische Grenze angesehen wurde.Jede 10-Mikron-Reduktion erhöht die Prozessschwierigkeit erheblichUnterhalb von 0,1 mm sind Form- und Sinterprozesse anfällig für Mikrorisse und Verformungen.
Das Team verließ die traditionellen, auf Schleifen basierenden Ausdünnungsmethoden und nahm eine innovativemit einer Breite von mehr als 20 mm,- Sintern von Siliziumnitridpulver bei nahezu 2000°C in einem einzigen Schritt, wodurch die Schleifphase beseitigt und Ausbeute und Materialnutzung erheblich verbessert werden.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Stärke | 70 Mikrometer (durchsichtig) |
| Beugfestigkeit | 1200 MPa |
| Biegewiderstand | 120° Breitwinkelbeugung ohne Bruch |
| Wärmeleitfähigkeit | ~ 85 W/m·K |
Diese Produkte eignen sich gut für KI-Computing-Chips, Hochdichte-Power-Wandler,und HF-Module, die einen bedeutenden Fortschritt für die heimischen Produktionskapazitäten für Siliciumnitrid-Substrat markieren.
