AlN / Al2O3 セラミック半導体パッケージ パワーデバイス RFモジュール封止用
ブランド名:
XQCERA
モデル番号:
カスタマイズ
原産地:
湖南省、中国
認証:
IATF16949;ISO9001
MOQ:
100
価格:
Customization
納期:
20〜30営業日
支払い条件:
TT電信送金
標準梱包:
カートン;パレット
製品の詳細
ハイライト:
Al2O3 セラミック半導体
,AlN セラミック半導体
,セラミック半導体パッケージ
Material:
ジルコニアセラミック（ZrO₂、Y-TZP）
Purity:
≥94% / ≥95% (カスタムグレードも利用可能)
Density:
≥6.0 g/cm3
Fracture Toughness:
6～10MPa・m1/2
Flexural Strength:
≧900～1200MPa
Hardness:
≥88 ～ 92 HRA
Color:
ホワイト/ブラック/カスタマイズされた
Max Working Temperature:
800～1600℃
Surface Finish:
研磨/研磨
Thermal Shock Resistance:
素晴らしい
Electrical Insulation:
素晴らしい
Corrosion Resistance:
素晴らしい
Wear Resistance:
素晴らしい
Customization:
サイズ、公差、直径、厚さ、穴、メタライゼーションオプション
製品説明
詳細な仕様と特徴
電気装置 (IGBT,MOSFET) とRFモジュール封装のための高熱伝導性AlN/Al2O3
高性能セラミック半導体パッケージは,AlN (アルミニウムナイトリド) とAl2O3 (アルミニウム酸化物) を使用し,例外的な熱伝導性を有する.要求の高い電子アプリケーションで優れた熱消耗と信頼性の高い性能のために設計されています.
主要 な 特徴
- 効率的な熱管理のための異常な熱伝導性
- AlNとAl2O3のセラミック製で入手可能
- 優れた電気隔熱特性
- 優れた機械的強度と耐久性
- 高温安定性と信頼性
- 一貫した性能のための精密製造
主要用途
- 電源装置の封筒化 (IGBT,MOSFET)
- RF モジュールの包装と保護
- 高功率半導体装置
- 熱管理を必要とする高度な電子システム
- 工業用電源電子機器
- 電気通信機器
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