Paquete de semiconductores de cerámica AlN/Al2O3 para la encapsulación del módulo RF del dispositivo de poder

Nombre de la marca: XQCERA
Número de modelo: Personalización
Lugar de origen: Hunan, China
Certificación: IATF16949;ISO9001
Cantidad mínima de pedido: 100
Precio: Customization
El tiempo de entrega: 20-30 días hábiles
Condiciones de pago: transferencia bancaria TT
Embalaje estándar: Cartón; Plataforma
Detalles del producto
Resaltar:

Semiconductor cerámico Al2O3

,

Semiconductor cerámico AlN

,

Paquete de semiconductor cerámico

Material: Cerámica de circonio (ZrO₂, Y-TZP)
Purity: ≥94% / ≥95% (grados personalizados disponibles)
Density: ≥6,0 g/cm³
Fracture Toughness: 6–10 MPa·m½
Flexural Strength: ≥900–1200MPa
Hardness: ≥88–92 HRA
Color: Blanco/Negro/Personalizado
Max Working Temperature: 800–1600°C
Surface Finish: Pulido / Molido
Thermal Shock Resistance: Excelente
Electrical Insulation: Excelente
Corrosion Resistance: Excelente
Wear Resistance: Excelente
Customization: Tamaño, tolerancia, diámetro, espesor, agujeros, metalización opcional.
Descripción del producto
Especificaciones y Características Detalladas
Paquete de Semiconductor Cerámico | AlN/Al2O3 de Alta Conductividad Térmica para Dispositivos de Potencia (IGBT, MOSFET) y Encapsulación de Módulos RF
Paquetes de semiconductores cerámicos de alto rendimiento con una conductividad térmica excepcional que utilizan materiales de AlN (nitruro de aluminio) y Al₂O₃ (óxido de aluminio). Diseñados para una disipación de calor superior y un rendimiento fiable en aplicaciones electrónicas exigentes.
Características Clave
  • Conductividad térmica excepcional para una gestión eficiente del calor
  • Disponible en formulaciones cerámicas de AlN y Al₂O₃
  • Propiedades de aislamiento eléctrico superiores
  • Excelente resistencia mecánica y durabilidad
  • Estabilidad y fiabilidad a altas temperaturas
  • Fabricación de precisión para un rendimiento constante
Aplicaciones Principales
  • Encapsulación de dispositivos de potencia (IGBT, MOSFET)
  • Empaquetado y protección de módulos RF
  • Dispositivos semiconductores de alta potencia
  • Sistemas electrónicos avanzados que requieren gestión térmica
  • Electrónica de potencia industrial
  • Equipos de telecomunicaciones
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