多層アル2O3アルミナセラミックリングは,ヨーロッパの半導体エッチとCVD室に優れたプラズマ抵抗性を提供します.

2026/06/21

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ヨーロッパの優れた半導体製造のための先進的なセラミックリング

XQCERA が高性能製品の提供を発表多層Al2O3アルミナセラミックリング、特に半導体プラズマエッチングおよび CVD チャンバー用途向けに設計されています。 EU チップ法に基づいて欧州の半導体産業が急速に拡大する中、信頼性の高い高純度のチャンバー コンポーネントに対する需要はかつてないほど高まっています。

半導体グレードのパフォーマンスを実現する設計

プラズマ エッチングおよび CVD プロセスでは、チャンバーのコンポーネントが、攻撃的なフッ素および塩素ベースのプラズマ、熱サイクル、超高真空環境などの極端な条件にさらされます。 XQCERA の多層アルミナ セラミック リングは、これらの厳しい条件下で優れた性能を発揮するように設計されており、以下を提供します。

  • 優れた耐プラズマ性:高純度の Al2O3 構造は、分解や粒子の生成を起こすことなく、強力なフッ素および塩素のプラズマ化学反応に耐えます。
  • 気密封止:エッチングおよび堆積チャンバー内で信頼性の高い真空完全性を実現するために精密設計
  • 超高純度:不純物含有量が低いため、ウェーハの汚染を防止 - 先進的なノードの半導体製造に不可欠
  • 多層設計:制御された層アーキテクチャによる機械的性能と熱管理の強化
  • 優れた誘電特性:RF およびプラズマ環境向けの優れた電気絶縁性

技術仕様

パラメータ仕様
材料高純度アルミナ(Al2O3)
工事多層セラミックス
プロセスの互換性エッチング、CVD、プラズマプロセス
最高使用温度1600~1700℃
耐熱衝撃性素晴らしい
認証IATF16949、ISO9001

欧州の半導体エコシステムへの適合

  • ヨーロッパの半導体メーカーが使用する主要なエッチングおよびCVDプラットフォームと互換性があります。
  • 200mm と 300mm の両方のウェーハ処理環境に適しています
  • 特定のチャンバー設計および OEM 要件に合わせてカスタム寸法を利用可能
  • ヨーロッパの機器メーカー向けのラピッドプロトタイピングと認定サポート

XQCERA は、完全な技術文書、材料認証、アプリケーション エンジニアリング サポートを提供します。柔軟な MOQ と 20 ~ 30 日の納期により、当社は欧州の半導体顧客からの研究開発規模と生産量の両方の要件をサポートできる体制を整えています。