แหวนเซรามิกอลูมินา Al2O3 หลายชั้นมอบความต้านทานพลาสมาที่เหนือกว่าสำหรับห้องกัดเซมิคอนดักเตอร์และ CVD ของยุโรป

แหวนเซรามิกที่พัฒนาขึ้นเพื่อความเป็นเลิศในการผลิตครึ่งตัวนําของยุโรป

XQCERA ประกาศถึงการเปิดตัวของแหวนเซรามิกอัลลูมิเนีย Al2O3 หลายชั้น, โดยเฉพาะเจาะจงออกแบบสําหรับการฉลากพลาสมา semiconductor และการใช้งานห้อง CVDสารประกอบห้องความบริสุทธิ์สูงไม่เคยมากกว่า.

ออกแบบมาเพื่อการทํางานในระดับ semiconductor

การแปรรูปและ CVD ของพลาสมา ทําให้ส่วนประกอบของห้องทํางานอยู่ในสภาพที่รุนแรง - พลาสมาที่ใช้ฟลูอารินและคลอรีนที่รุนแรง, วงจรความร้อน, และสภาพแวดล้อมระยะว่างที่สูงมากแหวนเซรามิกอัลลูมิเนียหลายชั้นของ XQCERA ถูกออกแบบให้ดีเยี่ยมในสภาพที่ต้องการเหล่านี้โดยให้:

• ความต้านทานพลาสมาสูงกว่าการสร้าง Al2O3 ความบริสุทธิ์สูง ทนต่อสารเคมีฟลูอรินและคลอรินในพลาสมาอย่างรุนแรงโดยไม่ต้องทําลายหรือเกิดอนุภาค
• การปิดปิดแบบแอร์เมติก:การออกแบบความแม่นยําเพื่อความสมบูรณ์แบบของระยะว่างที่น่าเชื่อถือได้ในห้อง etch และห้องฝาก
• ความบริสุทธิ์สูงสุดเนื้อหาปนเปื้อนที่ต่ําป้องกันการปนเปื้อนของแผ่น - สําคัญสําหรับการผลิตครึ่งตัวนําที่มีความก้าวหน้า
• การออกแบบหลายชั้นผลงานทางกลและการจัดการความร้อนที่ดีขึ้นผ่านสถาปัตยกรรมชั้นควบคุม
• คุณสมบัติดีเอเล็คทริกที่ดีเยี่ยม:การกันไฟฟ้าที่ดีกว่าสําหรับสภาพแวดล้อม RF และพลาสมา

รายละเอียดเทคนิค

ความเหมาะสมของระบบนิเวศของครึ่งประสาทยุโรป

• สอดคล้องกับแพลตฟอร์ม etch และ CVD ที่นํานําใช้โดยผู้ผลิตครึ่งตัวนํายุโรป
• เหมาะสําหรับทั้ง 200 มิลลิเมตรและ 300 มิลลิเมตรสภาพแวดล้อมการแปรรูปแผ่น
• ขนาดที่กําหนดเองสําหรับการออกแบบห้องเฉพาะเจาะจงและความต้องการ OEM
• การสร้างต้นแบบอย่างรวดเร็วและการสนับสนุนการประกาศคุณภาพสําหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ในยุโรป

XQCERA ให้บริการเอกสารทางเทคนิคครบถ้วน การรับรองวัสดุ และการสนับสนุนด้านวิศวกรรมการใช้งานเรามีตําแหน่งในการสนับสนุนทั้งปริมาณ R & D และปริมาณการผลิตที่ต้องการจากลูกค้าครึ่งตัวนํายุโรป.